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Novel Three-state Quantum Dot Gate Field Effect Transistor: Fabrication, Modeling and Applications
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Novel Three-state Quantum Dot Gate Field Effect Transistor: Fabrication, Modeling and Applications
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The book presents the fabrication and circuit modeling of quantum dot gate field effect transistor (QDGFET) and quantum dot gate NMOS inverter (QDNMOS inverter). It also introduces the development of a circuit model of QDGFET based on Berkley Short Channel IGFET model (BSIM). Different ternary logic circuits based on QDGFET are also investigated in this book. Advanced circuit such as three-bit and six bit analog-to-digital converter (ADC) and digital-to-analog converter (DAC) were also simulated.
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Autore:
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Editore:
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Anno:2013
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Rilegatura:Hardback
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Pagine:134 p.
Testo in English
Dimensioni:
235 x 155 mm
EAN:
9788132216346
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