Nitride Wide Bandgap Semiconductor Material and Electronic Devices
This book systematically introduces physical characteristics and implementations of III-nitride wide bandgap semiconductor materials and electronic devices, with an emphasis on high-electron-mobility transistors (HEMTs). The properties of nitride semiconductors make the material very suitable for electronic devices used in microwave power amplification, high-voltage switches, and high-speed digital integrated circuits.
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Autore:
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Editore:
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Anno:2020
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Rilegatura:Paperback / softback
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Pagine:392 p.
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